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- 型号： 5LP01SS-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LP01SS-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LP01SS-TL-H价格参考。ON Semiconductor5LP01SS-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LP01SS-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LP01SS-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的5LP01SS-TL-H是一款P沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用小型SOT-23封装（尺寸约3.0×1.4×1.1 mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为0.18 Ω @ Vgs = −4.5 V）、低阈值电压（Vgs(th)约−0.5 V至−1.2 V）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关，用于控制外设（如LED、传感器、USB接口）供电的启停，实现低功耗待机与快速响应； 2. 电池保护与反向电流阻断：在单节锂离子/聚合物电池供电系统中，作为反向放电保护开关，防止电池在关机状态下通过外围电路漏电； 3. DC-DC转换器同步整流：适用于小功率降压（Buck）转换器的低端开关或辅助同步整流路径，提升轻载效率； 4. 逻辑电平接口驱动：兼容1.8 V / 3.3 V MCU GPIO直接驱动，无需电平转换或额外驱动电路，简化设计，常用于IoT节点、可穿戴设备的信号通断控制。 该器件具备ESD防护（HBM ±2000 V）、无铅且符合RoHS标准，适合空间受限、强调能效与可靠性的消费类及工业级嵌入式应用。注意其连续漏极电流ID仅为0.7 A（Tc=25°C），故适用于中小电流（≤500 mA）场景，不建议用于大功率负载切换。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5LP01SS-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.4pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-SSFP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70mA （Ta） |
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