Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ9.1D5/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为9.1 V，功率为3 W（DO-41封装），容差通常为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中为运算放大器、ADC/DAC 或传感器提供稳定参考电压；或作为简单并联稳压器，为小电流负载（如微控制器复位电路、偏置网络）维持9.1 V稳定电压。 2. 过压保护（OVP）与钳位：用于电源输入端或信号路径中，将瞬态电压钳位于9.1 V附近，防止后级IC（如MCU I/O口、通信接口芯片）因浪涌或ESD受损。 3. 浪涌吸收与箝位电路：配合TVS或限流电阻，构成简易瞬态抑制单元，适用于工业控制板、电源适配器及消费电子的初级保护环节。 4. 反馈环路中的精密偏置：在开关电源（如反激式）的光耦反馈网络中，提供固定基准电压以提升稳压精度。 该器件因TO-204AA（DO-41）通孔封装、成熟工艺及Microsemi高可靠性设计，常用于工业自动化、通信电源、医疗设备及汽车电子（非安全关键子系统）等对成本、可靠性和温度适应性有平衡要求的场景。需注意其功率限制，不适用于持续大电流稳压，建议留足降额余量（如≤2 W长期工作）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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