Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ8.2D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 8.2V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定8.2V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，钳位电源轨或I/O端口瞬态电压（如ESD或浪涌），防止后级IC损坏； 3. 电源反馈环路：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈电路中，作为次级侧电压检测与误差放大基准； 4. 电平转换与箝位：在数字接口（如RS-232、工业IO）中将信号峰值限制在安全电平（如钳位至8.2V），避免超压； 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池组电压监测分压网络的基准端，提升采样精度与温度稳定性（该器件具有较好温漂特性）。 该器件具备高可靠性、AEC-Q200兼容性（适用于汽车电子）、无铅且符合RoHS，因此也常见于车载信息娱乐系统、工业PLC模块及医疗设备电源模块中。TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。需注意：使用时应确保功耗不超过3W（需合理设计散热或限流），并考虑温度对齐纳电压的影响（TC≈+2.5mV/°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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