Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ8.2D/TR8是一款8.2V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8表示每卷800只）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中，为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压（如8.2V基准源）； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍电路”（Crowbar），当输入电压异常升高（如>8.2V）时触发保护，防止后级器件损坏； 3. 浪涌箝位：在电源输入端或信号线上并联使用，吸收瞬态高压脉冲（如ESD、EFT），将电压箝位于约8.2V，保护敏感IC； 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激拓扑）的光耦反馈电路中，作为TL431的替代或辅助基准元件，实现输出电压精密调节； 5. 工业控制与仪器仪表：用于模拟信号调理电路中的电平限幅、偏置设定或校准点生成，利用其良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.06%/°C）和低动态阻抗（Zzt ≈ 5Ω @ Izt=37mA）。 该器件具备高可靠性、宽工作温度范围（-65°C ~ +175°C）及符合MIL-STD-19500/222标准，常用于航天、军工、工业电源及医疗设备等对鲁棒性要求严苛的领域。注意：实际应用中需合理设计散热（如PCB铜箔面积）以确保长期工作在额定功率内。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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