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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ7.5D5/TR8是一款7.5V、0.5W(500mW)通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±5%电压容差(即标称7.5V,实际稳压范围约7.13–7.88V)和低动态阻抗特性。 其典型应用场景包括: 1. 低压直流电源稳压:在小电流(≤60mA)场合为基准电压源或局部电路提供稳定参考电压,如传感器供电、运放偏置、ADC/DAC参考等; 2. 过压保护与箝位:与TVS或限流电阻配合,限制敏感输入端电压(如MCU I/O口、通信接口),防止瞬态过压损坏; 3. 电压检测与监控电路:结合比较器构成简易上电复位(POR)或欠压锁定(UVLO)功能; 4. 模拟电路基准源:在低成本、非精密要求的模拟前端中提供温度稳定性尚可(TC ≈ ±3.5 mV/°C)的基准点; 5. 教学与原型开发:因参数明确、封装通用、成本低廉,广泛用于电子实训及快速验证设计。 需注意:该器件为玻璃钝化结型齐纳,不适用于大电流或高可靠性工业/汽车级场景;长期工作建议留足功率余量(推荐≤300mW),并注意散热。TR8表示卷带包装,适用于自动贴装(但DO-41为直插封装,此处TR8可能为命名惯例或早期标注差异,实际多为散装或编带供插件机使用)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 7.5V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ7.5D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 7.5V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2 欧姆 |