Datasheet下载- 型号： 3EZ68D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ68D2/TR8是一款68V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定68V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制模块。 2. 过压保护（OVP）：在电源输入端或敏感IC供电路径中，与限流电阻配合，钳位瞬态高压（如雷击感应、开关噪声），防止后级器件损坏。 3. 浪涌吸收与箝位电路：用于继电器线圈续流、电机驱动反电动势抑制等场合，吸收感性负载关断时产生的尖峰电压。 4. 电源反馈环路：在隔离式DC-DC转换器（如反激拓扑）的光耦反馈侧，作为TL431的替代或辅助稳压元件，提升输出电压精度与稳定性。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗（约200Ω）及良好温度稳定性（TC ≈ +0.07%/°C），适合工作环境温度-65°C至+175°C的工业及汽车电子应用。需注意其1W功率限制，设计时应确保平均功耗不超限，并留有足够降额余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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