Datasheet下载- 型号： 3EZ62D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ62D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ62D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ62D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ62D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ62D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ62D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为62 V，功率为3 W，DO-41封装，带AEC-Q200兼容性（E3后缀表示符合JEDEC标准，TR8表示卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 电源电压钳位与过压保护：在工业控制、通信电源或汽车电子中，用于限制敏感电路节点的瞬态电压（如反电动势、ESD或开关噪声），防止后级IC或传感器损坏。 2. 基准电压源：在精度要求适中的模拟电路（如ADC参考分压、比较器阈值设定）中提供稳定基准，配合限流电阻使用。 3. 浪涌抑制与箝位电路：常与TVS或MOV配合，构成多级防护，吸收中等能量的浪涌（如IEC 61000-4-5 1kV/2kV测试等级）。 4. 汽车电子辅助系统：因具备宽工作温度范围（-65°C 至 +175°C）及高可靠性，适用于车载LED驱动、BCM（车身控制模块）、传感器供电稳压等非安全关键场景（注：非ASIL-D级应用）。 需注意：该器件为通用型齐纳，未内置温度补偿，长期稳压精度受温度和电流影响；设计时应确保工作电流在5–100 mA典型范围内，并留足散热余量。不推荐用于高精度、低功耗或高频动态调节场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
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