Datasheet下载- 型号： 3EZ62D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ62D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ62D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ62D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ62D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ62D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ62D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip Technology 收购）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为62V，额定功率为3W（DO-41封装），具有10%容差（“D”表示±10%），TR12代表卷带包装规格。 其主要应用场景包括： 1. 过压保护与箝位电路：在电源输入端或敏感IC接口处，用于限制瞬态电压（如ESD、雷击感应浪涌），将电压箝位在62V附近，防止后级器件损坏； 2. 基准电压源：在中低精度要求的模拟电路（如简易稳压器、比较器参考源、传感器信号调理电路）中提供稳定的62V基准； 3. 浪涌吸收与缓冲：配合TVS或RC网络，用于工业控制、通信设备及电力仪表等场景中吸收感性负载关断时产生的反向电动势； 4. 辅助电源稳压：在高压辅助电源（如AC-DC适配器次级侧、PFC电路反馈环路）中作简单稳压或误差检测参考。 需注意：该器件为通用型齐纳二极管，非低噪声或高稳定性精密基准，不适用于高精度ADC参考或温度敏感场合；实际应用中应确保功耗不超过3W（需合理计算平均功耗与散热条件），并考虑动态阻抗与温度系数影响。典型工作电流建议在5–50mA范围内以兼顾稳定性和温升。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
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