Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ6.8D10/TR8是一款6.8V、500mW玻璃封装齐纳二极管（单管），具有±5%电压容差和10mA标称测试电流。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：用于低功耗电路中提供稳定参考电压，如传感器信号调理、ADC/DAC基准源、电源监控电路等； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感IC输入端电压（如MCU I/O口、通信接口），防止瞬态过压损坏； 3. 电源稳压辅助：在小电流负载（≤10mA）下，作为线性稳压器的简易替代方案，为实时时钟（RTC）、EEPROM或低功耗微控制器供电； 4. 波形整形与限幅：在模拟前端中实现信号限幅、电平偏移或箝位电路（如音频信号处理、脉冲整形）； 5. 工业与嵌入式系统：适用于空间受限、成本敏感且无需高精度/大电流的场景，如智能电表、PLC模块、安防设备及汽车电子中的辅助电源监测电路。 该器件采用DO-35玻璃封装，具备良好热稳定性与长期可靠性，但需注意功耗限制（最大500mW）及温度系数影响，不适用于动态负载或高精度基准场合。TR8表示卷带包装，适合自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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