Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ6.2D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的 6.2V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差（即标称6.2V，实际稳压范围约5.89–6.51V）和低动态阻抗特性。 其典型应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：在低压线性稳压器（如LDO辅助电路）或分立稳压电路中，为比较器、ADC参考源或微控制器复位电路提供稳定基准电压； 2. 过压保护与钳位：配合TVS或限流电阻，用于IC输入/输出端口的瞬态电压钳位（如RS-232、CAN总线接口），防止6.2V以上电压损坏后级器件； 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助电路：在工业控制、通信模块等对可靠性要求较高的场合，作为低成本、高可靠性的二级电压箝位元件； 4. 传感器信号调理：在模拟前端电路中限制传感器输出信号幅值，防止ADC饱和； 5. 消费电子与嵌入式系统：适用于电池供电设备（如便携仪表、IoT节点）中的低功耗电压监控与稳压需求。 该器件具备良好的高温稳定性（工作结温达150℃）、高浪涌承受能力（可达50A@8.3ms）及AEC-Q200兼容性（部分批次），适合工业、汽车电子（非安全关键系统）及通信设备等中高可靠性场景。注意：需配合限流电阻使用，避免超过额定功率（3W）或反向电流超限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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