Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ6.2D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip Technology 收购）生产的一款齐纳二极管，标称稳压值为6.2 V，功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。 该器件主要应用于低压直流电源系统的电压基准与过压保护场景： - 稳压电路：在低成本线性稳压器或分立稳压电路中，为模拟传感器、ADC参考源、微控制器复位电路等提供稳定6.2 V基准电压； - 过压钳位/ESD防护：并联于敏感IC（如运放输入端、MCU I/O口）前，限制瞬态电压不超过6.2 V，配合限流电阻实现简单可靠的静电放电（ESD）或浪涌抑制； - 电源轨监测：配合比较器构成欠压/过压检测电路，用于工业控制板、通信模块或电源管理单元中的5 V/3.3 V系统供电监控； - 替代方案应用：因Microsemi停产部分老型号，该器件常作为3EZ6.2系列的可靠升级/兼容型号，用于军工、航天（符合MIL-PRF-19500/471标准）、工业自动化等对长期供货与可靠性要求较高的领域。 需注意：其3 W功耗需配合适当散热（如PCB铜箔面积），且不适用于高频或大电流动态负载场景。实际设计中应校验功耗、温度系数（典型−1.5 mV/°C）及反向漏电流（≤5 μA @ 4.5 V）是否满足系统要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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