Datasheet下载- 型号： 3EZ56D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ56D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为56V，额定功率为3W（DO-41封装），容差通常为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：用于低压电源的辅助稳压电路，为运算放大器、传感器或ADC提供稳定参考电压（需配合限流电阻使用）； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍”（Crowbar）电路，在电源异常升压时触发短路保护，防止后级器件损坏； 3. 浪涌钳位：在接口电路（如RS-232、工业I/O端口）中限制瞬态高压，吸收ESD或感应浪涌能量； 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，辅助设定初级侧稳压阈值； 5. 测试与校准设备：因参数一致性较好，适用于便携式仪器中的简易稳压源模块。 注意：该器件为玻璃钝化结型齐纳，不适用于高频或大电流动态调节场景；实际应用中需严格核算功耗（P = Vz × Iz），避免超温失效，并建议留足裕量以应对温度漂移（TC ≈ +0.07%/°C）。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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