Datasheet下载- 型号： 3EZ51D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ51D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为51 V，额定功率为3 W（DO-41封装），容差通常为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： - 过压保护与箝位电路：在电源输入端或敏感IC接口处，用于吸收瞬态浪涌（如ESD、雷击感应脉冲），将电压箝位在51 V安全范围内，防止后级器件损坏。 - 基准电压源：在中等精度要求的模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考分压、线性稳压器反馈网络）中，提供稳定51 V基准点，适用于对成本敏感且无需超高精度的工业控制模块。 - 并联稳压电路：在小电流、低成本离线电源或辅助电源中，与限流电阻配合，为微控制器复位电路、LED驱动偏置或隔离反馈电路提供简单可靠的稳压。 - 测试与校准设备：作为51 V标准电压点，用于仪器仪表的现场校验或老化测试负载。 该器件采用轴向DO-41封装，适合通孔焊接，具备良好的热稳定性和长期可靠性，广泛应用于工业电源、通信设备、汽车电子（非安全关键系统）、仪器仪表及消费类电源适配器等场景。注意：使用时需确保功耗不超过3 W，并留有足够散热余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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