Datasheet下载- 型号： 3EZ51D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ51D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称齐纳电压为51V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：常用于电源输入端或敏感电路前级，配合限流电阻实现简单可靠的51V基准稳压或钳位，防止瞬态高压（如浪涌、ESD）损坏后级IC或传感器。 2. 参考电压源：在精度要求不苛刻的模拟电路（如比较器阈值设定、ADC基准分压网络）中，提供稳定51V基准点，适用于工业控制、仪表电源等场景。 3. 浪涌抑制电路：在通信接口（如RS-485、CAN总线）或电机驱动板中，与TVS或RC网络协同，吸收反电动势或感应尖峰，提升系统鲁棒性。 4. LED恒流驱动辅助稳压：在高压LED串驱动设计中，作为电流检测反馈环路的电压箝位元件，保障驱动IC工作安全。 该器件具备良好的高温稳定性（工作结温达+175°C）和长期可靠性，适用于工业自动化、电源适配器、汽车电子（非安全关键模块）、仪器仪表等对成本、可靠性和耐环境性有要求的中高电压场合。注意需合理设计功耗（P = Vz × Iz），避免超温失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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