Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ5.6D5E3/TR12是一款5.6V、3W通孔式齐纳二极管，具有±5%电压容差（标称稳压值5.6V）、低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：用于低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）中提供稳定基准电压；亦可配合限流电阻构成简易并联稳压器，为小电流负载（如微控制器复位电路、偏置网络）供电。 2. 过压保护与箝位：在接口电路（如RS-232、I/O端口）中用作瞬态电压抑制（TVS替代方案），将异常电压箝位在5.6V附近，防止后级器件（如MCU GPIO）因浪涌或ESD受损。 3. 电源监控与阈值检测：结合比较器实现欠压/过压检测（如5V系统中监测电源是否跌落至5.6V以下触发告警）。 4. 反馈环路补偿：在开关电源或LDO的反馈分压网络中辅助设定输出电压精度。 该器件采用DO-41封装，TR12表示卷带包装，适用于自动贴装；其3W功率能力支持中等电流稳压需求（约500mA最大齐纳电流），但需注意散热设计。适用于工业控制、通信设备、仪器仪表及汽车电子（符合AEC-Q200非认证类应用）等对可靠性要求较高的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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