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- 型号： 3EZ47DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ47DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ47DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ47DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ47DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ47DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ47DE3/TR12 是一款额定稳压值为47V、功率为3W的玻璃钝化齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，符合AEC-Q200可靠性标准（汽车级），具有低动态阻抗、良好温度稳定性和高浪涌承受能力。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子稳压与保护：用于车载ECU、传感器供电电路中，为5V/12V系统中的参考电压源或过压钳位元件，提供47V级别的瞬态抑制（如配合TVS或作为辅助稳压环节）； ✅ 工业电源反馈与基准：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈回路中，与TL431等配合实现高精度输出电压调节； ✅ 浪涌与ESD防护：在直流输入端（如24V/48V工业总线）作并联型过压保护器件，吸收感应雷击或开关噪声引起的短时高压脉冲（需配合限流电阻）； ✅ 精密电压基准与偏置电路：在模拟前端、仪表放大器偏置网络中提供稳定47V偏置点（适用于高压运放供电场景）； ✅ LED驱动与电池管理：用于高压LED串的开路保护，或在多节串联锂电池组中作均衡/过压检测参考点。 注意：该器件为齐纳击穿型，非TVS专用，不适用于高频/大能量ESD（IEC61000-4-2），设计时需校核功耗、散热及动态响应。推荐工作电流为1–10mA，典型测试电流IZT=38mA。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 47V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ47DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 35.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 47V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 38 欧姆 |
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