Datasheet下载- 型号： 3EZ39D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ39D5/TR12是一款3.0W、39V、DO-41封装的单齐纳二极管，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在中低功率电源电路中为模拟电路（如传感器接口、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定39V基准电压；适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或仪表电路。 2. 过压保护（OVP）钳位：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、通信接口芯片）免受瞬态高压冲击（如浪涌、ESD感应电压），尤其适用于DC供电总线（如24–48V工业系统）的局部钳位。 3. 浪涌吸收与电压箝位电路：在继电器线圈、电磁阀驱动等感性负载关断时，用作续流/钳位器件，抑制反向电动势（可配合普通二极管构成双向钳位），延长开关器件寿命。 4. 电源反馈环路补偿：在部分线性稳压器（如LDO或分立调整管电路）中，作为误差放大器的参考或反馈网络分压元件，提升输出电压稳定性。 注：该器件额定功率3W，需确保PCB散热良好（如加大铜箔面积）；DO-41封装适合通孔焊接，不适用于高密度SMT产线；TR12表示编带包装（12,000只/卷），多用于自动化贴装。实际选型需校核功耗（P = Vz × Iz）、温度系数（约+0.07%/°C）及长期可靠性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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