Datasheet下载- 型号： 3EZ36D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ36D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ36D10E3/TR8是一款3.0W、36V、DO-41封装的单齐纳二极管，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低功耗模拟电路或电源管理模块中，为传感器、ADC参考源或运放偏置提供稳定36V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于DC供电线路（如工业控制板、通信设备电源输入端）的瞬态过压钳位，防止后级IC损坏； 3. 浪涌抑制与箝位电路：在继电器线圈、感性负载关断时吸收反向电动势，保护驱动晶体管； 4. 简易电源调节：适用于小电流（≤80mA）、低成本场合，如LED恒压驱动、电池充电器反馈环路中的电压检测点； 5. 测试与校准设备：作为便携式仪器内部的精密电压校验点，利用其良好温度稳定性（典型TC ≈ +0.07%/°C）。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，可靠性高，但须严格遵守功率降额曲线（如>50°C环境需降低功耗），且不适用于高频或大电流动态负载场景。实际应用中建议预留10–20%电压裕量，并配合适当散热与限流设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 36V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ36D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 27.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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