Datasheet下载- 型号： 3EZ33D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ33D/TR12是一款33V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12为编带卷盘包装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或电源反馈回路中，为ADC参考、运放偏置或LDO误差放大器提供稳定33V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍电路”（Crowbar），当输入电压异常升高至33V以上时触发保护，切断后级供电； 3. 浪涌钳位与ESD防护：在工业接口（如RS-485、CAN总线）或传感器前端，限制瞬态高压，防止后端IC损坏（需配合限流电阻使用）； 4. 电源调节辅助：在简单线性稳压器或LED恒流驱动电路中，作为基准或分压反馈元件，提升输出精度与温度稳定性（该器件具有±5%容差及较低动态阻抗）。 注意：3EZ33D/TR12为玻璃钝化结构，具备良好可靠性和高温稳定性（工作结温达+200℃），适用于工业控制、通信电源、仪器仪表等对鲁棒性要求较高的场景。但不适用于高频或大电流动态调节场合，设计时需校核功耗（P=Vz×Iz）并留足散热余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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