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- 型号： 3EZ200D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D10/TR8 是一款额定稳压值为200V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：适用于需200V高精度稳定参考电压的电源电路，如工业控制电源、测试仪器中的高压偏置电路或ADC/DAC参考源（配合分压网络使用）。 - 过压保护与箝位：在开关电源、电机驱动或继电器线圈等感性负载回路中，用于吸收反向电动势（flyback voltage），防止MOSFET/IGBT等器件因瞬态高压击穿；也可作为浪涌抑制元件，与TVS协同提供分级防护。 - 电压检测与阈值触发：在高压监控电路中，配合比较器实现欠压/过压告警（如通信基站电源、电力仪表），当输入电压达200V时导通并触发保护动作。 - 简单稳压电源：适用于小电流（≤15mA）、低精度要求的辅助供电场景，如LED恒流偏置、光耦隔离反馈环路中的高压侧稳压。 注意：该器件最大耗散功率3W，需合理设计限流电阻并确保散热；不适用于大电流或动态响应要求高的场合。实际应用中应留足电压裕量（避免长期工作在200V临界点），并注意温度系数影响（高温下稳压值略有漂移）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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