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- 型号： 3EZ190D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D2/TR8 是一款额定稳压值为190V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：在开关电源、高压DC-DC转换器或工业控制电路中，为误差放大器、PWM控制器等提供稳定190V参考电压（需配合限流电阻使用）。 - 过压保护（OVP）与钳位电路：用于保护后级敏感器件（如MOSFET栅极、IC输入端），当输入或反馈电压异常升高时，该管击穿导通，将电压钳位于约190V，防止损坏。 - 浪涌吸收与电压箝位：适用于继电器线圈关断、感性负载切换等场景，吸收反向电动势（flyback voltage），抑制瞬态高压尖峰。 - 高压检测与阈值触发：在高压监测电路中作为电压检测元件，配合比较器或光耦实现超压报警、自动关机等保护功能。 注意：因其稳压值高（190V）、功率适中（3W），不适用于低压或大电流稳压场合；实际应用中须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保不超过额定功率，并留有足够安全裕量。同时需注意温度特性（正温度系数），高温环境下稳压精度略有下降。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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