Datasheet下载- 型号： 3EZ17DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ17DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ17DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ17DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ17DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ17DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ17DE3/TR12是一款17V、1.3W通孔式齐纳二极管（单齐纳），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或电源中提供稳定17V基准电压，如传感器供电、ADC参考源或运算放大器偏置电路。 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用作简单可靠的钳位保护器件，防止后级IC（如MCU、接口芯片）因瞬态过压（如ESD、感应浪涌）而损坏。 3. 电源稳压辅助：在小电流线性稳压器（如78xx系列）的输入/输出端作旁路稳压或噪声吸收，提升系统抗干扰能力。 4. 工业控制与仪器仪表：适用于对成本敏感、可靠性要求较高的嵌入式设备，如PLC模块、电表、温控器等，用于信号调理或电源轨箝位。 5. 消费电子与通信设备：在机顶盒、路由器、电源适配器等产品中实现低成本、高可靠性的电压箝位和基准功能。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗及良好温度稳定性，适合-65℃~+175℃宽温工业环境。需注意：其1.3W额定功率要求合理散热设计（如PCB铜箔面积），且不适用于大电流稳压场景——仅限≤70mA（17V×0.07A≈1.2W）持续工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 17V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ17DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 17V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
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