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- 型号： 3EZ170DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ170DE3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 1.3W 表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为 170V（容差通常 ±5%），最大测试电流 IZT 为 2.5mA，动态阻抗低（约 450Ω），具有良好的温度稳定性和长期可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 高压基准电压源：在工业电源、高压DC-DC转换器或精密高压测量电路中，为误差放大器或ADC提供稳定参考电压； 2. 过压保护与钳位：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU、运放、ADC输入端）免受瞬态高压（如浪涌、开关噪声）冲击； 3. 反馈环路稳压：在隔离型反激/正激电源的次级侧，作为光耦反馈回路中的高精度稳压元件，提升输出电压精度和负载调整率； 4. 高压偏置电路：为光电倍增管（PMT）、CCD偏置、压电驱动等需要稳定高压偏置的应用提供可靠稳压节点； 5. 仪表与测试设备：在高压校准源、数字万用表（DMM）高压量程分压/补偿电路中，确保基准稳定性。 该器件采用 DO-41（轴向引线）封装（TR8为卷带包装），虽为通孔形式但具备良好散热能力，适用于中功率、高稳定性要求的工业及仪器类场景。需注意其功耗限制（1.3W），设计时应合理计算功耗并确保足够散热，避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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