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产品简介:
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3EZ170D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为170V,额定功率为3W(DO-41封装),具有±2%的精密容差(“D2”后缀表示该精度),并采用卷带包装(TR8)。 其主要应用场景包括: - 高压稳压与基准源:适用于需高精度、高稳定性的170V直流稳压场合,如工业电源反馈回路、高压传感器供电基准、精密仪器内部参考电压源。 - 过压保护与钳位电路:在开关电源、电机驱动或通信接口中,用于钳制瞬态高压(如浪涌、ESD感应电压),保护后级敏感器件(如MOSFET栅极、ADC输入)。 - 高压偏置与分压网络:在激光驱动器、X射线发生器、光电倍增管(PMT)高压偏置电路中,提供稳定偏置点或辅助稳压节点。 - 替代传统高压稳压方案:相比多级齐纳串联或三端稳压器,该器件结构简单、温漂较低(典型TC ≈ 0.08%/°C)、可靠性高,适合空间受限且要求长寿命的军工、航天及医疗设备。 注意:使用时需确保功耗不超过3W(需合理降额,尤其在高温环境),并配合限流电阻以避免热失控;其反向击穿特性适用于DC或低频应用,不适用于高频箝位。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 170V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 650 欧姆 |