Datasheet下载- 型号： 3EZ140D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ140D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ140D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ140D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为140 V，功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准源：适用于需高精度、高稳定140 V参考电压的电源电路，如工业仪器、测试设备中的电压基准模块。 - 过压保护（OVP）与箝位电路：在开关电源、电机驱动或通信接口中，用于箝位瞬态高压（如雷击、开关噪声），防止后级器件损坏。 - 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在成本敏感、能量适中的场合可配合其他器件构成初级浪涌吸收网络。 - 高压偏置与反馈电路：在CCFL背光驱动、激光二极管偏置、光电检测等需要稳定高压偏置的模拟电路中提供稳压偏置点。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及符合AEC-Q200（部分批次）的可靠性，适用于工业控制、医疗设备、通信基础设施等对长期可靠性要求较高的场景。注意：设计时需确保功耗不超过3 W（需合理计算平均功耗与散热条件），并避免持续工作在最大额定电流下以保障寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 140V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 475 欧姆 |
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