Datasheet下载- 型号： 3EZ140D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ140D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ140D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ140D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为140V，额定功率3W（DO-41封装），具有±10%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 高压电源稳压与基准：用于工业电源、医疗设备或测试仪器中，为高电压电路（如偏置电路、采样网络）提供稳定参考电压； 2. 过压保护（OVP）钳位：与TVS或MOSFET配合，限制敏感器件（如运放输入、ADC前端）承受的瞬态高压，防止浪涌损坏； 3. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为高耐压稳压元件，确保次级侧电压精度与隔离可靠性； 4. 高压检测与阈值设定：在电池管理系统（BMS）或高压母线监测电路中，用作140V电平检测的简单阈值器件； 5. 模拟电路偏置：为高压运算放大器、真空管驱动电路或光电倍增管（PMT）高压供电模块提供稳定偏置点。 该器件具备良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）、低漏电流（IR < 5μA @ 112V）及AEC-Q200兼容版本可选，适用于工业、通信、航空航天等对可靠性和长期稳定性要求较高的场景。注意：实际应用中需预留足够散热余量，并避免持续工作在接近最大功耗极限状态。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 140V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 475 欧姆 |
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