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- 型号： 3EZ130D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D5/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为130V，额定功率约3W（典型为3.0W），DO-41封装，带卷带包装（TR8表示卷带盘装）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需130V稳定参考电压的模拟电路、高压电源反馈回路或精密仪器中的基准电压生成（需配合限流电阻使用）。 2. 过压保护（OVP）与钳位电路：在开关电源、电机驱动或工业控制板中，用于钳位瞬态高压（如电感关断尖峰、ESD或雷击感应脉冲），防止后级器件（如MOSFET、IC）击穿。 3. 浪涌吸收与电压箝位：常与TVS或RC缓冲网络协同，用于通信接口（如RS-485长线）、继电器线圈续流、或AC线路保护模块中，抑制130V以上异常电压。 4. 高压偏置与启动电路：在离线式开关电源（如反激变换器）的启动电路中，为PWM控制器提供初始偏置电流，或辅助绕组电压采样稳压。 注意：该器件为通用型齐纳管，非低噪声/高精度系列，不适用于要求低温漂（如<0.05%/°C）或低动态阻抗的关键基准场合；实际应用中需严格核算功耗、温度降额及瞬态能量，避免热失效。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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