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- 型号： 3EZ130D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D2E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的单个齐纳二极管，标称稳压值为130 V，额定功率为3 W（DO-41封装），具有±2%的电压容差（“D2”表示精度等级），采用卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需130 V精密参考电压的电源电路，如工业仪表、高压DC-DC转换器的反馈网络或误差放大器基准端。 2. 过压保护（OVP）与钳位：在开关电源、电机驱动或电池管理系统中，用作瞬态电压抑制辅助器件，配合TVS或可控硅实现130 V级别的过压钳位保护（注意：其响应速度和浪涌能力弱于专用TVS，通常用于低能量、缓变过压场合）。 3. 偏置与分压电路：为高压放大器、光电耦合器输入侧或真空管/CCD偏置电路提供稳定偏置电压。 4. 测试与校准设备：因高精度（±2%）和良好长期稳定性，常用于高压校准源或电子负载的电压检测基准。 注意事项：该器件为玻璃钝化结型齐纳，不适用于高频或大脉冲电流场景；实际应用中需确保功耗不超过3 W（需合理计算平均功耗并考虑散热），且建议串联限流电阻以避免热失控。不推荐替代TVS用于ESD或雷击防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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