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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ12D10/TR8是一款12V、1W额定功率的单齐纳二极管,采用DO-41封装,带卷带包装(TR8)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置)提供稳定12V基准电压,适用于对精度要求适中、成本敏感的场合。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作电源输入端的钳位器件,防止瞬态过压(如ESD或开关噪声)损坏后级IC(如MCU、接口芯片)。 3. 电平转换与箝位:在数字电路中限制信号摆幅(如将15V逻辑信号箝位至12V),或为TTL/CMOS接口提供安全输入电压窗口。 4. 简单稳压电源:在小电流(≤83mA)负载下构成线性稳压器,用于LED驱动偏置、继电器线圈供电等非精密应用。 需注意:该器件容差为±5%(即11.4–12.6V),动态阻抗约15Ω,不适用于高精度或大电流场景;设计时应校核功耗(P=Vz×Iz),确保不超过1W额定值,并留足散热余量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 12V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ12D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4.5 欧姆 |