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  • 型号: 3EZ120DE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120DE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ120DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ120DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ120DE3/TR8 是 Microsemi Corporation(现已被 Microchip 收购)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为 120 V,额定功率为 3 W(DO-41 封装),具有低动态阻抗、良好温度稳定性和高可靠性。

其主要应用场景包括:  
1. 高压电源稳压:用于开关电源、DC-DC 变换器或线性稳压电路中,为基准电压源或误差放大器提供稳定的 120 V 参考电压;  
2. 过压保护与钳位:在工业控制、电机驱动或通信接口电路中,与TVS或串联电阻配合,实现瞬态高压(如雷击、感性负载关断尖峰)的箝位保护;  
3. 基准电压源:在高精度模拟电路(如高压传感器信号调理、ADC参考分压网络)中,作为高电压基准元件(需注意温漂和长期稳定性);  
4. 浪涌抑制模块:应用于电力仪表、电表、PLC 模块等工业设备中,辅助构建初级侧过压防护电路;  
5. 替代/备份设计:因Microsemi器件在航空航天、军工及高可靠性领域有认证历史,该型号常用于对AEC-Q200或MIL-PRF-19500兼容性有要求的老平台维护或加固设计中。

需注意:120 V 高压齐纳工作时功耗较大,须确保散热条件充足;实际应用中建议留足电压裕量(如输入峰值≤160 V),并避免持续满功率工作以延长寿命。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 120V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ120DE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 91.2V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

120V

阻抗(最大值)(Zzt)

300 欧姆

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