Datasheet下载- 型号： 3EZ120D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ120D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为120V，额定功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表或通信设备中，为高电压电路（如栅极驱动、采样分压网络）提供稳定参考电压。 - 过压保护（OVP）与钳位：并联于敏感器件（如MOSFET栅极、ADC输入端）两端，吸收瞬态浪涌或反向感应电压，防止超过耐压阈值（如配合TVS或RC缓冲电路使用）。 - 浪涌抑制与箝位电路：常用于继电器线圈、变压器次级或电机驱动回路中，抑制关断时产生的高压反电动势（如与续流二极管协同工作）。 - 高压电源反馈环路：在离线式开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动器）中，作为辅助稳压或光耦反馈的电压基准元件（需注意功耗与温度稳定性）。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.075%/°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业控制、电力电子、测试仪器等对可靠性要求较高的场景。使用时需注意散热设计（满载下结温易升高）、限流电阻匹配，以及避免长期工作在接近最大功率点以保障寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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