Datasheet下载- 型号： 3EZ11D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ11D5/TR12是一款11V、500mW通孔式齐纳二极管（单齐纳），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）中提供稳定11V基准电压；适用于分立式线性稳压器的误差放大器参考端。 2. 过压保护与钳位：与TVS或限流电阻配合，用于IC电源引脚（如微控制器I/O口、运放输入端）的瞬态电压钳位，防止11V以上电压损坏后级器件。 3. 电源监控与阈值检测：结合比较器构成简单欠压/过压检测电路，例如监测12V系统是否跌落至11V以下以触发告警或关机。 4. 浪涌吸收与ESD防护辅助：在低成本消费电子或工业控制板中，作为次级防护元件，吸收小能量脉冲（如开关噪声、感应干扰）。 需注意：该器件功率仅0.5W，不适用于大电流稳压或高能量浪涌场景；实际使用时应确保功耗≤额定值（P = Vz × Iz），并留有足够降额余量。典型测试条件为IZ = 20mA，动态阻抗约15Ω，温度系数约+0.07%/°C，适合对温漂要求不苛刻的一般工业及消费类应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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