Datasheet下载- 型号： 3EZ11D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ11D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip Technology 收购）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 11 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用 TR12 卷带包装，适用于自动贴片装配。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、运放）免受瞬态过压冲击； 3. 浪涌钳位：在工业控制、通信接口（如RS-232/485收发器供电端）中，抑制感应噪声或ESD引起的电压尖峰； 4. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78xx系列辅助稳压）或离线式小功率开关电源的反馈/检测支路中实现电压监测与限幅； 5. 电池电压监测与保护：用于12 V铅酸或锂电组的过压告警电路，配合比较器实现充放电管理。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.07%/°C）、低动态阻抗（约15 Ω）及可靠的老化特性，适用于工业、汽车电子（非安全关键系统）、通信设备和消费类电源模块等对成本与可靠性有平衡要求的场景。需注意：使用时须严格匹配限流电阻以确保功耗不超过3 W，并避免长期工作在高温环境（推荐Tj ≤ 125°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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