Datasheet下载- 型号： 3EZ110DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，额定功率为3W（DO-41封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感模拟/数字接口处，将瞬态电压钳位在110V附近，防止后级器件（如IC、MOSFET驱动器）因浪涌或反电动势而损坏。 2. 基准电压源：在中高压、低精度要求的模拟电路中（如工业传感器信号调理、简易ADC参考分压网络），提供相对稳定的110V基准点（需配合限流电阻使用）。 3. 浪涌吸收与缓冲：常与TVS或RC缓冲网络协同，吸收继电器、接触器、电机绕组关断时产生的感性尖峰电压（尤其适用于100–120V系统）。 4. 电源稳压辅助：在非隔离式线性稳压器或高压LDO的反馈/误差放大环节中，作为高电压端的稳压参考或偏置元件。 5. 测试与校准设备：用于高压测试仪、绝缘耐压检测模块中的电压限制与保护单元。 注意：该器件为玻璃钝化结构，具备较好可靠性，但需严格遵守最大功耗（3W）、峰值脉冲功率及散热设计；不适用于高频或高精度基准场合（建议选用带温度补偿的精密基准源替代）。应用时务必串联限流电阻，并考虑反向漏电流（@100V约1μA）对高阻抗电路的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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