Datasheet下载- 型号： 2SK3816-DL-1E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3816-DL-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3816-DL-1E价格参考。ON Semiconductor2SK3816-DL-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3816-DL-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3816-DL-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3816-DL-1E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于单个MOSFET晶体管。该器件主要用于中低压开关应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块中，用于高效能量转换，提升系统能效。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的控制电路，常见于家用电器、办公设备（如打印机、扫描仪）及工业自动化设备中。 3. 负载开关与电源开关：作为电子设备中的电源通断控制元件，用于电池供电设备（如便携式仪器、移动终端）中实现低功耗待机与快速启动。 4. 照明控制：可用于LED驱动电路，特别是在需要调光或频繁开关的场合，发挥其快速响应和低损耗优势。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备、充电器等内部电源模块，用于提高整体效率和可靠性。 2SK3816-DL-1E采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），适合高密度PCB布局，有利于缩小产品体积，适用于对空间敏感的设计。其优异的性能和稳定性使其在工业、消费电子和通信领域均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 40A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SK3816-DL-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1780pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-3 |
| 功率-最大值 | 1.65W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Ta） |
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