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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2847(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2847(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK2847(F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK2847(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK2847(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK2847(F)是东芝半导体与存储公司(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的一款N沟道MOSFET晶体管,属于功率MOSFET类别。该器件主要用于中高压、中等电流的开关应用场合。 典型应用场景包括:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动电路等电力电子设备中。由于其具备较高的耐压特性(VDS=500V),适合用于需要高电压隔离和稳定开关性能的电源系统中。此外,2SK2847(F)具有较低的导通电阻和快速的开关响应能力,有助于提升电源效率并减少发热,适用于节能型电源设计。 该型号常用于工业控制设备、家用电器(如空调、洗衣机中的电源模块)、照明电源(如LED驱动电源)以及小型电源适配器中。在消费类电子产品和工业类电源模块中均有广泛应用。 封装形式为SIP(单列直插式),便于散热安装,适合印刷电路板上的紧凑布局。总体而言,2SK2847(F)是一款可靠性高、性能稳定的功率MOSFET,适用于多种中高电压开关电源场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PNMOSFET N-ch 900V 8A 1.1 ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba 2SK2847(F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK2847(F) |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 4A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P(N)IS |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 NIS |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |