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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SB1123T-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1123T-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1123T-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SB1123T-TD-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1123T-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1123T-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1123T-TD-E 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的晶体管主要应用于以下场景： 1. 放大电路 - 2SB1123T-TD-E 可用于音频、射频和其他信号的放大。由于其具有较高的增益和良好的频率响应特性，适合在低噪声放大器中使用。 - 常见应用包括麦克风前置放大器、无线通信设备中的信号增强等。 2. 开关电路 - 在数字电路中，该晶体管可以用作开关元件，实现对负载的通断控制。 - 应用实例包括继电器驱动、LED 驱动、小型电机控制等场景。 3. 电源管理 - 该型号可用于简单的线性稳压器设计，通过调整电流来稳定输出电压。 - 还可以作为功率放大器的一部分，用于提高电源效率或改善负载调节能力。 4. 高频应用 - 2SB1123T-TD-E 的高频特性使其适用于某些射频（RF）模块的设计，例如振荡器、混频器和调制解调器。 - 其典型应用场景包括无线电通信设备、遥控器和无线传感器网络。 5. 工业自动化与控制 - 在工业领域，该晶体管可用于过程控制系统中的信号处理和转换。 - 例如，用于温度传感器信号的放大或光电耦合器的驱动。 6. 消费电子产品 - 该型号广泛应用于各种消费类电子产品中，如家用音响设备、便携式电子设备以及玩具中的简单电路控制。 总结 2SB1123T-TD-E 的主要特点是高可靠性、宽工作范围和良好的电气性能，适用于需要高性能放大和开关功能的各种电子设备中。选择具体应用时，需根据其数据手册中的参数（如集电极-发射极电压、最大电流、增益等）进行匹配设计，以确保最佳性能和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 2A 50V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1123T-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1123T-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 50mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SB1123 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.3 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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