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  • 型号: 2SB1122S-TD-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1122S-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1122S-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SB1122S-TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1122S-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1122S-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP BIPO 1A 50V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1122S-TD-E-

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产品型号

2SB1122S-TD-E

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PCP

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

150 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1.3 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

560

直流集电极/BaseGainhfeMin

140

系列

2SB1122

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

- 60 V

集电极—射极饱和电压

- 0.18 V

集电极连续电流

- 1 A

频率-跃迁

150MHz

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