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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT18AT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT18AT1价格参考。ON Semiconductor1PMT18AT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1PMT18AT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1PMT18AT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的1PMT18AT1是一款瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于电路的过压保护。该器件采用SOD-523小型封装,具有响应速度快、箝位电压低等优点,适用于对空间要求严苛且需要高可靠保护的电子设备。 其主要应用场景包括:便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,用于保护USB接口、音频端口和数据线免受静电放电(ESD)冲击;工业控制设备中用于信号线和电源线的瞬态保护;通信设备中的接口电路防雷击和浪涌保护;以及汽车电子中的低功率信号线路防护,如车载信息娱乐系统和传感器接口。 1PMT18AT1的反向击穿电压约为20V,能有效保护工作电压在18V左右的电路,最大峰值脉冲功率为300W(8/20μs波形),可承受较高的瞬态能量。由于其低漏电流和高可靠性,也适合应用于电池供电设备,以延长待机时间并提升系统稳定性。 总之,1PMT18AT1广泛用于需要高效、紧凑型ESD和浪涌保护的各类电子系统中,尤其适合高频、低电压信号线路的防护需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 18VWM POWERMITE |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1PMT18AT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | Powermite |
| 其它名称 | 1PMT18AT1OS |
| 功率-峰值脉冲 | 1000W (1kW) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-216AA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿(最小值) | 20V |
| 电压-反向关态(典型值) | 18V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 29.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |