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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5956AP/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5956AP/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5956AP/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5956AP/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5956AP/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下品牌)的1N5956AP/TR12是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号的齐纳电压为3.3V,功率额定值通常为1W,具有较高的稳压精度和稳定性。由于其优异的电压钳位和稳压性能,1N5956AP/TR12广泛应用于多种电子电路中。 主要应用场景包括:电源稳压电路,用于为低压集成电路提供稳定的参考电压;过压保护电路,在敏感元件前充当电压钳位器件,防止瞬态电压或浪涌损坏后级电路;信号电平箝制,用于通信接口或数据线路中限制信号幅度,提高系统可靠性;此外,也常用于基准电压源设计,为模拟电路如ADC、DAC等提供精确的参考电压。 该器件采用轴向封装(DO-41),适合通孔安装,具备良好的散热性能和环境适应性,适用于工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子等多种领域。1N5956AP/TR12因其高可靠性与一致性,特别适合对稳定性要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 1.5W 200V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10922-sa5-57-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5956AP/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 200V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 1200 欧姆 |