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  • 型号: 1N5950BUR-1
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5950BUR-1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5950BUR-1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5950BUR-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5950BUR-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5950BUR-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5950BUR-1是一种齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管类型。该型号具有稳定的反向击穿电压特性,常用于需要电压参考或电压钳位的电路中。

其主要应用场景包括:

1. 电压参考源:1N5950BUR-1可为模拟电路、电源管理模块或比较器提供稳定基准电压,确保系统工作稳定。

2. 电源稳压电路:在低功率电源电路中,该器件可用于构建简单的并联稳压器,维持输出电压在设定值。

3. 过压保护:用于保护敏感电子元件,防止因电压突升或静电放电(ESD)造成的损坏。

4. 信号调理电路:在模拟信号处理中,用于限制信号幅度,防止后续电路过载。

5. 嵌入式系统与工业控制:适用于工业自动化、测量仪器、通信设备等对稳定性和可靠性要求较高的场景。

该器件采用表面贴装封装(如SOD-123),适合自动化生产,具备良好的热稳定性和响应速度,广泛应用于中低功率电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 110V 1.25W DO-213AB

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10865-sa3-35-pdf

产品图片

产品型号

1N5950BUR-1

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 83.6V

供应商器件封装

DO-213AB

功率-最大值

1.25W

包装

散装

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

DO-213AB,MELF

工作温度

-65°C ~ 175°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

110V

阻抗(最大值)(Zzt)

300 欧姆

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