Datasheet下载- 型号： 1N5656A
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5656A由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5656A价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5656A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5656A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5656A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下公司）生产的1N5656A是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），属于高可靠性硅雪崩二极管。该器件主要用于保护敏感电子电路免受瞬态过电压（如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等）的损害。 1N5656A典型的应用场景包括： 1. 电源线路保护：用于直流电源输入端，防止因电源波动或反接引起的电压冲击，常见于工业控制设备和通信电源模块中。 2. 信号线保护：适用于数据通信接口（如RS-232、RS-485、CAN总线等），可有效抑制传输线路上的瞬态干扰，保障信号完整性。 3. 消费类与工业电子产品：广泛应用于家电、仪器仪表、自动化控制系统中，提升系统抗干扰能力和可靠性。 4. 汽车电子辅助系统：虽然非车规级主控器件，但在部分车载附属电路（如车载充电器、诊断接口）中也可用于瞬态防护。 5. 军工与高可靠性领域：得益于Microsemi在高可靠性和航空航天领域的技术积累，1N5656A也适用于对稳定性要求较高的军用或工业级设备中。 该器件具有快速响应时间（皮秒级）、高浪涌吸收能力、低漏电流和稳定击穿电压等特点，可在-55°C至+175°C工作温度范围内保持性能稳定，适合严苛环境下的应用需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO13 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8922-lds-0096-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5656A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-13 |
| 其它名称 | 1N5656AMS |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-13 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 86.5V |
| 电压-反向关态（典型值） | 77.8V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 125V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 12A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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