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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5363B由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5363B价格参考。ON Semiconductor1N5363B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5363B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5363B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5363B是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这款器件主要用作电压稳压和参考电压的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电压稳压 - 1N5363B的齐纳击穿电压为5.1V(典型值),能够稳定电路中的电压。它适用于低压稳压电路,确保负载设备在特定电压下正常工作。 - 常见应用包括为低功耗传感器、运算放大器或逻辑电路提供稳定的电源电压。 2. 过压保护 - 在电源输入端或信号线中,1N5363B可以用来防止过高的电压损坏敏感元件。例如,在USB接口或通信线路中,它可以限制瞬态高压,保护后端电路。 3. 参考电压源 - 由于其击穿电压较为精确且稳定,1N5363B可以用作模拟电路中的参考电压源。例如,在比较器电路或模数转换器(ADC)中,提供一个可靠的基准电压。 4. 信号钳位 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以将输入信号限制在一定范围内,避免信号幅度过大导致失真或损坏。例如,在音频电路或射频电路中,1N5363B可用于信号钳位。 5. 浪涌抑制 - 1N5363B能够吸收短暂的电压浪涌,适合用于抑制开关电源或继电器触点断开时产生的感应电压尖峰。 6. 电池充电保护 - 在简单的电池充电电路中,1N5363B可以用作电压监测元件,当电池电压达到设定值时,切断充电电流,防止过充。 性能特点 - 功率:1W(最大) - 工作温度范围:-55°C至+150°C - 反向漏电流低,适合对精度要求较高的场合 综上所述,1N5363B广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,特别是在需要简单、可靠且低成本的电压稳压或保护功能的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 30V 5W AXIAL |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 1N5363B |
PCN设计/规格 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 22.8V |
供应商器件封装 | 轴向 |
其它名称 | 1N5363BOS |
功率-最大值 | 5W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | T-18,轴向 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
标准包装 | 1,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 30V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 8 欧姆 |