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  • 型号: 1N5353BE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5353BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5353BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5353BE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5353BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5353BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5353BE3/TR8是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该器件主要用于电压参考和稳压应用。

该型号的齐纳电压为6.2V,具有较小的动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于需要稳定电压参考的电路设计。其主要应用场景包括:

1. 电源稳压电路:用于DC电源中提供稳定的参考电压,保障输出电压的稳定性。  
2. 电压监测电路:在电池管理系统或电源监控模块中,作为电压比较的基准源。  
3. 保护电路:用于过压保护电路中,限制电压在安全范围内,保护后级电路不受损坏。  
4. 模拟电路参考源:在运算放大器、比较器等模拟电路中作为精密电压参考使用。  
5. 嵌入式系统与工业控制:用于工业控制系统、测量仪器和嵌入式设备中,提供稳定电压基准。

该器件采用表面贴装(SMT)封装,适合自动化生产,广泛应用于通信设备、消费电子、工业控制等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 16V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5353BE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 11.5V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

16V

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

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