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  • 型号: 1N5349BE3
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5349BE3由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5349BE3价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5349BE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5349BE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5349BE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5349BE3是由Microsemi Corporation(现已被Microchip Technology收购)生产的单个齐纳二极管。该型号属于1N534X系列,额定功率为5瓦特,具有多种应用场景。

 主要应用场景:

1. 电压稳压:
   1N5349BE3常用于电路中提供稳定的参考电压。它能够在输入电压波动的情况下保持输出电压的稳定,适用于电源电路、传感器接口等需要精确电压控制的场合。例如,在开关电源或线性电源中,齐纳二极管可以作为稳压元件,确保输出电压在一定范围内保持恒定。

2. 过压保护:
   在许多电子设备中,防止瞬态高压对敏感电路造成损坏是非常重要的。1N5349BE3可以用作过压保护器件,当输入电压超过其齐纳击穿电压时,二极管会导通,将多余的电流分流到地,从而保护后续电路不受损害。这种应用常见于通信设备、工业控制系统和消费电子产品中。

3. 信号电平调整:
   在模拟电路设计中,有时需要将信号电平限制在一个特定范围内。1N5349BE3可以通过钳位作用来实现这一功能,确保信号不会超出预定的最大值。这对于音频处理、射频电路和其他需要精确控制信号幅度的应用非常有用。

4. 温度补偿:
   齐纳二极管的特性与温度有一定的关系,因此在某些精密测量仪器或传感器系统中,1N5349BE3可以用来进行温度补偿,以减少温度变化对测量精度的影响。

5. 浪涌抑制:
   在电力系统或电机驱动器中,可能会遇到较大的电压浪涌。1N5349BE3可以快速响应这些瞬态事件,并通过自身消耗能量来抑制浪涌,保护其他关键组件免受损害。

总之,1N5349BE3作为一种高性能的齐纳二极管,广泛应用于各种需要电压稳压、过压保护和信号电平调整的电路中,尤其适合对可靠性和稳定性有较高要求的工业和商业领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 12V 5W T18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5349BE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

2µA @ 8.6V

供应商器件封装

T-18

其它名称

1N5349BE3MSCT

功率-最大值

5W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

12V

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

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