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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4741A-TR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4741A-TR价格参考。Vishay1N4741A-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N4741A-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4741A-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N4741A-TR 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的一款单齐纳二极管,其典型应用场景包括: 1. 电压稳压 - 作为齐纳二极管,1N4741A-TR 的主要功能是提供稳定的参考电压。它在反向击穿区域内工作时,能够保持输出电压的稳定,适用于低功率电路中的电压调节。 - 典型应用:为运算放大器、基准电源或模拟电路提供稳定的电压参考。 2. 过压保护 - 在电路中,1N4741A-TR 可用于限制输入电压,防止后级电路因过高电压而损坏。 - 典型应用:保护敏感电子元件(如传感器或微控制器)免受瞬态电压冲击。 3. 信号电平转换 - 该型号的齐纳二极管可以用于将输入信号的电压电平转换到适合后续电路处理的范围。 - 典型应用:音频信号处理、数据通信接口中的电平匹配。 4. 电源监控 - 在一些简单的电源监控电路中,1N4741A-TR 可以检测电源电压是否低于或高于设定值,并触发报警或保护机制。 - 典型应用:电池管理系统中的欠压/过压检测。 5. 基准电压源 - 利用齐纳二极管的稳定击穿电压特性,1N4741A-TR 可作为低成本的基准电压源,用于需要较低精度的应用场景。 - 典型应用:简易的模数转换器(ADC)参考电压生成。 参数特点: - 齐纳电压:1N4741A-TR 的标称齐纳电压为 11V(±5% 容差)。 - 功耗:最大功耗为 500mW,适用于低功耗设计。 - 封装形式:TO-92 封装,便于手工焊接和小型化电路设计。 注意事项: - 在使用时需确保流经齐纳二极管的电流在其额定范围内,避免因过流导致器件损坏。 - 温度变化可能会影响齐纳电压的稳定性,因此在高精度应用中需考虑温度补偿措施。 总之,1N4741A-TR 是一款经济实惠且性能可靠的齐纳二极管,广泛应用于各种低功率、低精度的电压稳压和保护电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 1.3W DO41稳压二极管 11 Volt 1.3 Watt |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors 1N4741A-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N4741A-TR1N4741A-TR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 8.4V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 1N4741AVSCT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
| 电压容差 | 5 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |
| 齐纳电压 | 11 V |
| 齐纳电流 | 83 mA |