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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP25012EZTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP25012EZTA价格参考。Diodes Inc.ZXTP25012EZTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTP25012EZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTP25012EZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP HI GAIN 12V SOT89两极晶体管 - BJT PNP 12V HIGH GAIN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP25012EZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTP25012EZTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 285mV @ 450mA,4.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 500 @ 10mA,2V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZXTP25012EZTR |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 310 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 19200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 4.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4.5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 1500 at - 10 mA at - 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 at -4.5 A at - 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 70 mV |
| 集电极连续电流 | - 4.5 A |
| 频率-跃迁 | 310MHz |