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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP2013GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP2013GTA价格参考¥1.84-¥4.33。Diodes Inc.ZXTP2013GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTP2013GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTP2013GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTP2013GTA是一款双极性晶体管(BJT),常用于开关和放大电路中。其应用场景主要包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器和负载开关,实现高效的电源控制。 2. 电机驱动:用于小型电机或继电器的开关控制,具备较高的电流承载能力。 3. 工业自动化:在PLC和传感器接口电路中,作为信号放大或开关元件。 4. 消费电子:如充电器、LED驱动电路,用于电流调节与开关控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、灯控模块等对可靠性要求高的场景。 该晶体管采用SOT-223封装,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中等功率应用。其设计兼顾性能与成本,广泛用于需要可靠性和效率的电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP MED PWR 100V SOT223两极晶体管 - BJT 100V PNP Med Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP2013GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTP2013GTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 340mV @ 400mA,4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,1V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXTP2013GCT |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 25 at 3 A at 1 V, 15 at 4 A at 1 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 140 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 240 mV |
| 集电极连续电流 | - 5 A |
| 频率-跃迁 | 125MHz |