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- 型号： VWM200-01P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VWM200-01P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VWM200-01P价格参考。IXYSVWM200-01P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VWM200-01P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VWM200-01P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VWM200-01P 是一款由 Vishay（威世）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SO-8 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 3.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（连续漏极电流 ID=100A，脉冲可达 400A）及优化的雪崩耐受能力。其典型应用场景包括： 1. DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流降压（Buck）转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动与负载开关：适用于中小功率 BLDC 电机控制、智能家电（如变频空调、洗衣机）的相位驱动或电源管理模块； 3. 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关，支持高电流双向控制； 4. 热插拔与电源排序：在数据中心背板、PCIe 插卡等场景中实现安全上电/断电控制； 5. LED 驱动与照明系统：作为大电流 LED 串的 PWM 调光开关，响应快、损耗低。 该器件集成双 MOSFET 结构，节省 PCB 空间，简化驱动设计（共源极配置），配合低栅极电荷（Qg≈90 nC）和快速开关特性（td(on)/td(off) < 20 ns），特别适合高频、高效率开关应用。需注意散热设计（建议使用敷铜面积 ≥ 200 mm²）及栅极驱动电压（推荐 10–15 V）以确保可靠工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MODULE VWM 6PACK 210A 100V V2 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VWM200-01P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 430nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | V2-PAK |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | V2-PAK |
| 标准包装 | 5 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 210A |
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