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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VT6X1T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VT6X1T2R价格参考。ROHM SemiconductorVT6X1T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VT6X1T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VT6X1T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VT6X1T2R 是罗姆(ROHM)半导体推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,采用SOT-363(SC-70-6)小型封装,内部集成两个独立的NPN晶体管(共发射极配置),具有匹配性好、开关速度快、功耗低等特点。 其典型应用场景包括: - 便携式电子设备中的信号切换与逻辑电平转换:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于LED驱动控制、传感器信号调理或I/O端口扩展; - 小功率负载开关:驱动微型蜂鸣器、振动马达、指示LED或低电流继电器等,利用其低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=50mA)提升能效; - 数字电路接口缓冲/反相:在MCU外围电路中作电平移位或信号整形,兼容1.8V–5V逻辑电平; - 电池供电系统的电源管理:配合PMIC或LDO实现使能控制(EN引脚开关)、背光调光或电池检测电路中的分立开关功能。 该器件工作结温范围宽(−55°C 至 +150°C),具备良好热稳定性与ESD防护能力(HBM ±2kV),适合高可靠性、空间受限的消费类及工业嵌入式应用。需注意其最大集电极电流为150mA(每通道),不适用于大功率放大或高电流驱动场景。设计时建议参考ROHM官方数据手册进行基极限流电阻计算与PCB热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 20V 200MA 6VMT两极晶体管 - BJT TR NPNX2 20V VCEO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor VT6X1T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VT6X1T2R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | VMT6 |
| 其它名称 | VT6X1T2RDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 400 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD |
| 封装/箱体 | VMT-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.12 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 400MHz |