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  • 型号: VT6X1T2R
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VT6X1T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VT6X1T2R价格参考。ROHM SemiconductorVT6X1T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VT6X1T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VT6X1T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

VT6X1T2R 是罗姆(ROHM)半导体推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,采用SOT-363(SC-70-6)小型封装,内部集成两个独立的NPN晶体管(共发射极配置),具有匹配性好、开关速度快、功耗低等特点。

其典型应用场景包括:  
- 便携式电子设备中的信号切换与逻辑电平转换:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于LED驱动控制、传感器信号调理或I/O端口扩展;  
- 小功率负载开关:驱动微型蜂鸣器、振动马达、指示LED或低电流继电器等,利用其低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=50mA)提升能效;  
- 数字电路接口缓冲/反相:在MCU外围电路中作电平移位或信号整形,兼容1.8V–5V逻辑电平;  
- 电池供电系统的电源管理:配合PMIC或LDO实现使能控制(EN引脚开关)、背光调光或电池检测电路中的分立开关功能。

该器件工作结温范围宽(−55°C 至 +150°C),具备良好热稳定性与ESD防护能力(HBM ±2kV),适合高可靠性、空间受限的消费类及工业嵌入式应用。需注意其最大集电极电流为150mA(每通道),不适用于大功率放大或高电流驱动场景。设计时建议参考ROHM官方数据手册进行基极限流电阻计算与PCB热设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 20V 200MA 6VMT两极晶体管 - BJT TR NPNX2 20V VCEO

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor VT6X1T2R-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

VT6X1T2R

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

VMT6

其它名称

VT6X1T2RDKR

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

400 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD

封装/箱体

VMT-6

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

560

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极—基极电压VCBO

20 V

集电极—射极饱和电压

0.12 V

集电极连续电流

200 mA

频率-跃迁

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